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更多>>在選用晶振時教你如何核算并確定并電容及動態電容
來源：http://m.jqhs.com.cn 作者：康比電子 2018年05月17
很多設計工程師在選型一個晶振都必須要知道的它的并電容,才能知道應該匹配那種參數的晶振,而且在 PCB 上每個芯片的 Vcc 到地都要安裝一個退耦電容在離引腳最近的位置上, 從電路圖上來看, 它們都是并聯的,今天康比電子給大家講解一下關于并電容C0、動態電容C1的核算與電極尺寸的確定
1、并電容C0
并電容又叫靜電容，有兩部分組成：一部分是由電極相對應的有效區域組成的電容Ce，另一部分是由電極引出部分及電極與外盒、兩引出線之間的分布電容Ch組成。即:
C0=Ce+Ch (3.6.38)
式中Ce為電極面積。
.png)
式中
Φe一電極直徑(mm)；
tF一石英晶振晶片腐蝕后的厚度(mm)；
le一電極長度(參考表3.6.4的電極尺寸)(mm)；
We一電極寬度(參考表364的電極尺寸)(mm)；
對于HC-49U/S，Ch=0.6pF左右；對于HC-49U/S-SMD矮形,Ch=0.9~1.0pF左右。
2、計算動態電容C1
.png)
Φe一圓電極直徑(mm);
tF一石英片腐蝕后的厚度(mm)；
le一電極長度(參考表3.6.4的電極尺寸)(mm)；
We一電極寬度(參考表364的電極尺寸)(mm)；
同時注意：
1)銀層厚度要控制好，最好為800~1000A；
2)腐后貼片晶振片的頻率分組組距最好為250-300ppm/組；
3)被銀后的頻率誤差為 .png)
ppm內；
4)使石英片長度與厚度之比即lx/t=1.5n倍。
2.8.3牽引靈敏度(S)
S=.png)
；（ppm/pF）； (3.6.42)
3、當并電容C0和動態電容C1無特殊要求時，電極尺寸按表3.6.4選取。
4、長條片設計實例
HC-49U/S-4000KHz石英晶體振蕩器元件的規格設計。
5、規格要求
(1)標稱頻率fn:4000KHz；
(2)調整頻差:±15ppm:T0=25±2℃；
(3)晶振工作溫度范圍:OTR:-20~+70℃；
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