企業(yè)博客
更多>>希華生產(chǎn)全臺(tái)灣最優(yōu)秀的音叉晶體
來(lái)源：http://m.jqhs.com.cn 作者：康比電子 2024年03月14
希華晶振提供一系列 32.768 kHz 音叉晶體，採(cǎi)用最先進(jìn)光刻制程技術(shù)，來(lái)實(shí)現(xiàn)卓越的穩(wěn)定性和信賴(lài)性。音叉型晶體具備低功耗特性 0.1 µW 及微型設(shè)計(jì)，最小尺寸至1.6 x 1.0mm，適合應(yīng)用在穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)裝置、無(wú)線通訊、消費(fèi)性電子產(chǎn)品、筆記型電腦、智慧電錶、安全系統(tǒng)和個(gè)人醫(yī)療設(shè)備。32.768 kHz 音叉型晶體系列包括 XTL72 (3.2 x 1.5 mm)、微型 XTL74 (2.0 x 1.2 mm) 和超微型 XTL75 (1.6 x 1.0 mm)，支援 ±20ppm 的標(biāo)準(zhǔn)頻率容差，并提供多種負(fù)載電容選項(xiàng)，包括 12.5pF、9pF、7pF 等，一般工作溫度范圍為 -40°C 至 85°C， AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)的汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用可擴(kuò)展至 -40°C 至 125°C。
整合上下游，開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)，自給自足.希華在光蝕刻制程技術(shù)上的創(chuàng)新與突破，結(jié)合臺(tái)灣唯一擁有上游長(zhǎng)晶技術(shù)，整合上下游資源的能力，使音叉型晶體從開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)自己自足，不需外求，更加提升希華音叉晶體的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。主要生產(chǎn)尺寸，從 3.2 x 1.5 mm到小型化 2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm 皆可量產(chǎn)。
流程分工圖
2.png)
音叉晶體生產(chǎn)流程，從南科的晶棒生產(chǎn)、 切割、 研磨成wafer原材，配合光蝕刻制程生產(chǎn)技術(shù)， 制作成音叉型晶體 wafer，最后于南科專(zhuān)線生產(chǎn)，產(chǎn)能自己自足不需外求，不僅確保高品質(zhì)水晶晶棒之供應(yīng)，也能充分掌握產(chǎn)能及交貨期。
各種尺寸與設(shè)計(jì)能力
從大尺寸3.2 x 1.5晶振到小尺寸2.0 x 1.2晶振 & 1.6 x 1.0晶振皆可量產(chǎn)，具備晶片設(shè)計(jì)能力，因應(yīng)各種不同領(lǐng)域應(yīng)用與客戶(hù)需求。
設(shè)立專(zhuān)線：于臺(tái)南有專(zhuān)屬音叉型晶體生產(chǎn)高度自動(dòng)化工廠，設(shè)立專(zhuān)線以確保產(chǎn)品品質(zhì)，達(dá)到最高要求。
音叉晶片能力
技術(shù)層次：高精度產(chǎn)品的微機(jī)電技術(shù)，最重要的是產(chǎn)品尺寸精細(xì)度要求。利用微機(jī)電技術(shù)都能掌握至2um以?xún)?nèi)，比起傳統(tǒng)加工方式更為穩(wěn)定，良率也較高。
音叉產(chǎn)品是一種非常講求尺寸精度的產(chǎn)品，故在生產(chǎn)過(guò)程中如何控制產(chǎn)品尺寸非常重要的課題，目前市場(chǎng)上的產(chǎn)品還并不多，畢竟小型化技術(shù)是相當(dāng)困難。希華采用最先進(jìn)光蝕刻制程技術(shù)，使小型化產(chǎn)品能有更穩(wěn)定的生產(chǎn)條件，不但縮短了生產(chǎn)時(shí)間，并大大提升了電性能力，在生產(chǎn)的良率上以及客戶(hù)的信賴(lài)性上，都有非常大的突破。
可行性與商業(yè)性
市面上的音叉型石英晶振種類(lèi)繁多，需求最大量的產(chǎn)品外觀為3.2 x 1.5 mm，但對(duì)應(yīng)市場(chǎng)上2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm正崛起的情況之下，在產(chǎn)能提升狀態(tài)下首當(dāng)其沖的就是成本問(wèn)題，希華有著領(lǐng)先的光蝕刻制程技術(shù)，能快速對(duì)應(yīng)不同尺寸產(chǎn)品因應(yīng)各種需求。加上良率的提升，以最低成本作出最大產(chǎn)能，不僅僅能在市場(chǎng)上占有一席之地，還具有非常大的競(jìng)爭(zhēng)力。
整合上下游，開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)，自給自足.希華在光蝕刻制程技術(shù)上的創(chuàng)新與突破，結(jié)合臺(tái)灣唯一擁有上游長(zhǎng)晶技術(shù)，整合上下游資源的能力，使音叉型晶體從開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)自己自足，不需外求，更加提升希華音叉晶體的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。主要生產(chǎn)尺寸，從 3.2 x 1.5 mm到小型化 2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm 皆可量產(chǎn)。
流程分工圖
音叉晶體生產(chǎn)流程，從南科的晶棒生產(chǎn)、 切割、 研磨成wafer原材，配合光蝕刻制程生產(chǎn)技術(shù)， 制作成音叉型晶體 wafer，最后于南科專(zhuān)線生產(chǎn)，產(chǎn)能自己自足不需外求，不僅確保高品質(zhì)水晶晶棒之供應(yīng)，也能充分掌握產(chǎn)能及交貨期。
各種尺寸與設(shè)計(jì)能力
從大尺寸3.2 x 1.5晶振到小尺寸2.0 x 1.2晶振 & 1.6 x 1.0晶振皆可量產(chǎn)，具備晶片設(shè)計(jì)能力，因應(yīng)各種不同領(lǐng)域應(yīng)用與客戶(hù)需求。
設(shè)立專(zhuān)線：于臺(tái)南有專(zhuān)屬音叉型晶體生產(chǎn)高度自動(dòng)化工廠，設(shè)立專(zhuān)線以確保產(chǎn)品品質(zhì)，達(dá)到最高要求。
音叉晶片能力
技術(shù)層次：高精度產(chǎn)品的微機(jī)電技術(shù)，最重要的是產(chǎn)品尺寸精細(xì)度要求。利用微機(jī)電技術(shù)都能掌握至2um以?xún)?nèi)，比起傳統(tǒng)加工方式更為穩(wěn)定，良率也較高。
音叉產(chǎn)品是一種非常講求尺寸精度的產(chǎn)品，故在生產(chǎn)過(guò)程中如何控制產(chǎn)品尺寸非常重要的課題，目前市場(chǎng)上的產(chǎn)品還并不多，畢竟小型化技術(shù)是相當(dāng)困難。希華采用最先進(jìn)光蝕刻制程技術(shù)，使小型化產(chǎn)品能有更穩(wěn)定的生產(chǎn)條件，不但縮短了生產(chǎn)時(shí)間，并大大提升了電性能力，在生產(chǎn)的良率上以及客戶(hù)的信賴(lài)性上，都有非常大的突破。
可行性與商業(yè)性
市面上的音叉型石英晶振種類(lèi)繁多，需求最大量的產(chǎn)品外觀為3.2 x 1.5 mm，但對(duì)應(yīng)市場(chǎng)上2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm正崛起的情況之下，在產(chǎn)能提升狀態(tài)下首當(dāng)其沖的就是成本問(wèn)題，希華有著領(lǐng)先的光蝕刻制程技術(shù)，能快速對(duì)應(yīng)不同尺寸產(chǎn)品因應(yīng)各種需求。加上良率的提升，以最低成本作出最大產(chǎn)能，不僅僅能在市場(chǎng)上占有一席之地，還具有非常大的競(jìng)爭(zhēng)力。
| SIWARD原廠編碼 | 生產(chǎn)商品牌 | 型號(hào) | 頻率 | 頻率偏差度 | 負(fù)載電荷 | 工作溫度 |
| XTL721-Q23-048 | Siward晶振 | XTL72 | 32.768 kHz | ±20ppm | 6pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL721-S349-005 | Siward晶振 | XTL72 | 32.768 kHz | ±20ppm | 7pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL721-S999-301 | Siward晶振 | XTL72 | 32.768 kHz | ±20ppm | 9pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL721-S999-429 | Siward晶振 | XTL72 | 32.768 kHz | ±20ppm | 6pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL741-S999-319 | Siward晶振 | XTL74 | 32.768 kHz | ±20ppm | 9pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL741-U11-402 | Siward晶振 | XTL74 | 32.768 kHz | ±20ppm | 7pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL741-S999-298 | Siward晶振 | XTL74 | 32.768 kHz | ±20ppm | 12.5pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL741-S999-379 | Siward晶振 | XTL74 | 32.768 kHz | ±20ppm | 7pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL741-S999-327 | Siward晶振 | XTL74 | 32.768 kHz | ±20ppm | 4pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL721-S999-286 | Siward晶振 | XTL72 | 32.768 kHz | ±20ppm | 12.5pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL751-S999-544 | Siward晶振 | XTL75 | 32.768 kHz | ±20ppm | 12.5pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL751-S999-548 | Siward晶振 | XTL75 | 32.768 kHz | ±20ppm | 9pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL751-S999-420 | Siward晶振 | XTL75 | 32.768 kHz | ±20ppm | 7pF | -40°C ~ 85°C |
| CGX70502-13.800-G108 | Siward晶振 | CGX-70502 | 13.8 MHz | ±50ppm | 16pF | -10°C ~ 60°C |
| CGX70502-14.050-G109 | Siward晶振 | CGX-70502 | 14.05 MHz | ±50ppm | 16pF | -10°C ~ 60°C |
| CGX70502-14.800-H134 | Siward晶振 | CGX-70502 | 14.8 MHz | ±50ppm | 16pF | -10°C ~ 60°C |
| CGX70502-15.425-H135 | Siward晶振 | CGX-70502 | 15.425 MHz | ±50ppm | 16pF | -10°C ~ 60°C |
| CGX70502-15.925-H136 | Siward晶振 | CGX-70502 | 15.925 MHz | ±50ppm | 16pF | -10°C ~ 60°C |
| CGX70502-16.300-H137 | Siward晶振 | CGX-70502 | 16.3 MHz | ±50ppm | 16pF | -10°C ~ 60°C |
| XTL581100-J96-011 | Siward晶振 | SX-2520 | 16 MHz | ±10ppm | 8pF | -20 ℃~70 ℃ |
| XTL571200-K114-002 | Siward晶振 | SX-3225 | 12 MHz | ±10ppm | 10pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL571150-F98-063 | Siward晶振 | SX-3225 | 24 MHz | ±15ppm | 18pF | -20 ℃~70 ℃ |
| XTL571100-H201-493 | Siward晶振 | SX-3225 | 25 MHz | ±10ppm | 12pF | -20 ℃~70 ℃ |
| XTL541200-C282-030 | Siward晶振 | SX-5032 | 8 MHz | ±20ppm | 20pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL5A1100-M118-056 | Siward晶振 | SXT-2520 | 26 MHz | ±10ppm | 7pF | -30°C ~ 85°C |
| XTL5A1100-M118-132 | Siward晶振 | SXT-2520 | 26 MHz | ±10ppm | 7pF | -30°C ~ 105°C |
| XTL5A1100-S362-009 | Siward晶振 | SXT-2520 | 26 MHz | ±10ppm | 9pF | -30°C ~ 85°C |
| XTL55S16-S208-018TR4 | Siward晶振 | SX-4025 | 16 MHz | ±10ppm | 9pF | -20 ℃~75 ℃ |
| XTL721-G78-1609 | Siward晶振 | CSF-3215 | 32.768 kHz | ±20ppm | 12.5pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL741-R53-039 | Siward晶振 | SF-2012 | 32 kHz | ±20ppm | 12.5pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL741-S999-321 | Siward晶振 | SF-2012 | 32.768 kHz | ±20ppm | 12.5pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL501100-F98-044 | Siward晶振 | SX-2016 | 24 MHz | ±10ppm | 8pF | -20 ℃~75 ℃ |
| XTL501100-S413-007 | Siward晶振 | SX-2016 | 32 MHz | ±10ppm | 9pF | -20 ℃~75 ℃ |
| XTL541200-C282-030 | Siward晶振 | SX-5032 | 8 MHz | ±20ppm | 20pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL571100-C249-064 | Siward晶振 | SX-3225 | 37.4 MHz | ±10ppm | 10pF | -10°C ~ 70°C |
| XTL571100-F98-020 | Siward晶振 | SX-3225 | 12 MHz | ±10ppm | 10pF | -20 ℃~70 ℃ |
| XTL571100-H201-493 | Siward晶振 | SX-3225 | 25 MHz | ±10ppm | 12pF | -20 ℃~70 ℃ |
| XTL571100-M118-048 | Siward晶振 | SX-3225 | 26 MHz | ±10ppm | 7.3pF | -20 ℃~75 ℃ |
| XTL571100-N98-008 | Siward晶振 | SX-3225 | 25 MHz | ±10ppm | 20pF | -20 ℃~75 ℃ |
| XTL571150-F98-063 | Siward晶振 | SX-3225 | 24 MHz | ±15ppm | 18pF | -20 ℃~75 ℃ |
| XTL571150-G47-219 | Siward晶振 | SX-3225 | 25 MHz | ±10ppm | 18pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL571150-M118-070 | Siward晶振 | SX-3225 | 40 MHz | ±7ppm | 13pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL571200-H201-177 | Siward晶振 | SX-3225 | 32 MHz | ±10ppm | 9pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL571200-V42-001 | Siward晶振 | SX-3225 | 12 MHz | ±20ppm | 20pF | -10°C ~ 70°C |
| XTL571300-U11-279 | Siward晶振 | SX-3225 | 12 MHz | ±30ppm | 12pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL581100-J96-011 | Siward晶振 | SX-2520 | 16 MHz | ±10ppm | 8pF | -20 ℃~70 ℃ |
| XTL581100-M171-008 | Siward晶振 | SX-2520 | 38.4 MHz | ±10ppm | 10pF | -30°C ~ 85°C |
| XTL581200-G47-319 | Siward晶振 | SX-2520 | 12 MHz | ±10ppm | 10pF | -40°C ~ 85°C |
| XTL581150-G47-223 | Siward晶振 | SX-2520 | 40 MHz | ±10ppm | 12pF | -30°C ~ 85°C |
| XTL501300-A292-004 | Siward晶振 | SX-2016 | 16 MHz | ±20ppm | 9pF |
-40°C ~ 85°C |
正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...
相關(guān)資訊
- [2026-04-14]微晶RV-3028-C7開(kāi)啟低功耗實(shí)時(shí)計(jì)...
- [2025-09-17]Geyer精密之芯KX-327FT晶振的科...
- [2025-07-04]Greenray晶振T90系列TCXO發(fā)揮著...
- [2024-05-24]Silicon Labs無(wú)線物聯(lián)網(wǎng)解決方案...
- [2024-05-22]ConnorWinfield晶振125系列振蕩...
- [2024-05-21]Suntsu影響電子元件成本的關(guān)鍵因...
- [2024-04-22]米利倫GPSDO振蕩器可作為堅(jiān)固的...
- [2024-04-19]QuartzCom提供廣泛的VCTCXO振蕩...
