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首頁晶振新聞廣泛適合于航空航天的微型石英晶體振蕩器X1G005591027900

廣泛適合于航空航天的微型石英晶體振蕩器X1G005591027900

來源：http://m.jqhs.com.cn 作者：sij 2022年09月07

廣泛適合于航空航天的微型石英晶體振蕩器X1G005591027900，晶振已經(jīng)成為無處不在的元器件之一，同時也為我們帶來全新的體驗，每一款晶振產(chǎn)品的性能，都代表著其與電子產(chǎn)品的完美結(jié)合，并且能夠展示出其巨大的價值，人們對于電子產(chǎn)品的剛需程度遠遠超乎我們的實際的想象，同時也為我們生活帶來無盡的便利。而晶振在其中扮演什么樣的角色呢？在所有微處理器，微控制器，GPU和CPU等，大多數(shù)情況下回選擇石英晶體振蕩器作為其頻率確定裝置來產(chǎn)生其時鐘波形。正如我們所知，與電阻電容相比，石英晶體振蕩器提供最高的精度和頻率穩(wěn)定性（ RC）或電感電容（LC）振蕩器。
CPU時鐘決定處理器運行和處理數(shù)據(jù)的速度，微處理器，時鐘速度為1MHz的GPU或微控制器意味著它可以在每個時鐘周期內(nèi)以每秒100萬次的速度處理數(shù)據(jù)。

廣泛適合于航空航天的微型石英晶體振蕩器X1G005591027900，而我們所知道的愛普生公司，推出了優(yōu)質(zhì)的SPXO振蕩器，SMD振蕩器，型號SG-8018CE，編碼X1G005591027900，頻率26.000000兆赫，輸出WaveCMOS，供電電壓1.62至3.63 V，尺寸(長×寬×高)3.20 × 2.50 × 1.20毫米，工作溫度-40到+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /，OSC TypeProgrammable Clock時鐘OSC大多數(shù)微處理器，微控制器和GPU都有兩個標記為OSC1和OSC2的振蕩器引腳，用于連接外部晶振電路—標準RC振蕩器網(wǎng)絡。在這種類型的微處理器應用中，石英晶體振蕩器產(chǎn)生一系列連續(xù)的方波脈沖，其基本頻率取決于晶振本身標配輸出頻率。這個基本頻率調(diào)節(jié)控制處理器設備的指令程序，例如，主時鐘和系統(tǒng)時序。

Product Number	愛普生晶振型號	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]
X1G005591027800	SG-8018CE	2.097152 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591027900	SG-8018CE	26.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591028000	SG-8018CE	14.318180 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591028100	SG-8018CE	36.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591028200	SG-8018CE	121.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 6.7 mA
X1G005591028300	SG-8018CE	72.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591028400	SG-8018CE	36.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591028500	SG-8018CE	33.333000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591028600	SG-8018CE	120.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 6.7 mA
X1G005591028700	SG-8018CE	12.582900 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591028800	SG-8018CE	26.664000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591028900	SG-8018CE	33.333333 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591029000	SG-8018CE	8.890000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591029100	SG-8018CE	20.160000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591029200	SG-8018CE	47.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591029300	SG-8018CE	11.400000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591029400	SG-8018CE	52.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591029500	SG-8018CE	12.600000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591029600	SG-8018CE	66.666600 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591029700	SG-8018CE	25.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591029800	SG-8018CE	10.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591029900	SG-8018CE	50.193300 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591030000	SG-8018CE	13.330000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591030100	SG-8018CE	27.600000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591030200	SG-8018CE	68.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591030300	SG-8018CE	63.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591030400	SG-8018CE	3.840000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591030500	SG-8018CE	20.971520 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591030600	SG-8018CE	4.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591030700	SG-8018CE	8.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591030800	SG-8018CE	7.159090 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591030900	SG-8018CE	2.048000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591031000	SG-8018CE	25.600000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591031100	SG-8018CE	30.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591031200	SG-8018CE	32.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591031300	SG-8018CE	22.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591031400	SG-8018CE	4.915200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591031500	SG-8018CE	3.579546 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591031600	SG-8018CE	21.250000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591031700	SG-8018CE	3.612700 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591031800	SG-8018CE	13.333333 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA

石英晶體振蕩器因本身具備了低電源電壓,并多種電壓可選擇等多種功能,被廣泛的應用于各行業(yè)領域中,如消費類電子、汽車電子,智能終端,信息通訊、航空航天,智能醫(yī)療,安防監(jiān)控、工業(yè)自動化、物聯(lián)網(wǎng)等眾多領域之中。

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此文關鍵字：石英晶體振蕩器

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