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更多>>介紹外部32.768KHZ晶體振蕩器
來源：http://m.jqhs.com.cn 作者：康比電子 2019年07月15
晶振的精度在整個溫度范圍內(nèi)變化很大,會使時鐘變慢(某些情況下使時鐘變快).對于盡大多數(shù)電子應用,帶有32.768K音叉晶體的RTC是標準的計時參考方案.典型的32.768kHz音叉晶體不能夠在寬溫范圍內(nèi)提供較高精度,在整個溫度范圍內(nèi)精度呈拋物線型(圖1),室溫下(+25°C)精度典型值為±20ppm.相當于一天慢或快1.7秒,即每年誤差10.34分鐘.在高溫順低溫區(qū)域精度變差,精度會低于150ppm (典型值),相當于一天誤差13.0秒,每年誤差1.3小時.32.768KHZ有分為無源和有源系列,下面要介紹的是32.768KHZ晶體振蕩器相關介紹.
1.介紹
本文件描述了與Si4700/01/02/03一起使用的外部32.768千赫振蕩器電路.它提供了所需的組件,原理圖和推薦的布局指南.
2.振蕩器電路描述
該電路采用無緩沖反相器,四個外部電阻,兩個電容和一個32.768KHZ.
3.原理圖和材料清單
圖1顯示了外部振蕩器電路原理圖.表1顯示了包含組件值,供應商和描述的物料清單.
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電阻器R3和R4限制了無緩沖逆變器的電流驅(qū)動能力.當VIO=3.3V時,這將電路的電流消耗保持在大約8uA.電阻R2將逆變器偏置到其線性工作區(qū)域,以啟動和保持振蕩.為了不超過晶振的最大功耗,必須控制傳輸?shù)骄w的總功率.電阻器R1在圖1所示的示例電路中提供了這種電流限制,并且已經(jīng)被調(diào)諧以確保不超過ECS-.327-12.5-13的1uW功率限制.對于不同的晶體,請查看數(shù)據(jù)手冊,確保不超過最大功耗.電容器C1和C2為晶體振蕩提供所需的負載電容,頻率為32.768千赫.
3.2.物料清單
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4.布局建議
逆變器的輸入是高阻抗節(jié)點,對噪聲敏感.因此,應特別注意將電路的這一部分與數(shù)字信號或其他噪聲源隔離.建議用接地跡線或平面圍繞該節(jié)點.
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圖2顯示了電路的敏感部分,圖3顯示了使用接地填充將逆變器輸入與數(shù)字信號隔離的示例.
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圖3.示例布局顯示使用地面填充來最小化噪聲
Silicon晶振集團打算向客戶提供所有外圍設備和模塊的最新,準確和深入的文檔,供使用或打算使用硅實驗室產(chǎn)品的系統(tǒng)和軟件實施者使用.表征數(shù)據(jù),可用模塊和外設,內(nèi)存大小和內(nèi)存地址指的是每個特定的設備,所提供的"典型"參數(shù)在不同的應用中可能也確實不同.這里描述的應用示例僅用于說明目的.Silicon集團保留在不另行通知和限制產(chǎn)品信息,規(guī)格和描述的情況下進行更改的權利,并且不保證所包含信息的準確性或完整性.硅實驗室對使用此處提供的信息的后果不負任何責任
1.介紹
本文件描述了與Si4700/01/02/03一起使用的外部32.768千赫振蕩器電路.它提供了所需的組件,原理圖和推薦的布局指南.
2.振蕩器電路描述
該電路采用無緩沖反相器,四個外部電阻,兩個電容和一個32.768KHZ.
3.原理圖和材料清單
圖1顯示了外部振蕩器電路原理圖.表1顯示了包含組件值,供應商和描述的物料清單.
圖1.32.768KHZ晶體振蕩器電路原理圖
3.1.示意圖描述電阻器R3和R4限制了無緩沖逆變器的電流驅(qū)動能力.當VIO=3.3V時,這將電路的電流消耗保持在大約8uA.電阻R2將逆變器偏置到其線性工作區(qū)域,以啟動和保持振蕩.為了不超過晶振的最大功耗,必須控制傳輸?shù)骄w的總功率.電阻器R1在圖1所示的示例電路中提供了這種電流限制,并且已經(jīng)被調(diào)諧以確保不超過ECS-.327-12.5-13的1uW功率限制.對于不同的晶體,請查看數(shù)據(jù)手冊,確保不超過最大功耗.電容器C1和C2為晶體振蕩提供所需的負載電容,頻率為32.768千赫.
3.2.物料清單
表1物料清單
逆變器的輸入是高阻抗節(jié)點,對噪聲敏感.因此,應特別注意將電路的這一部分與數(shù)字信號或其他噪聲源隔離.建議用接地跡線或平面圍繞該節(jié)點.
圖2顯示了電路的敏感部分,圖3顯示了使用接地填充將逆變器輸入與數(shù)字信號隔離的示例.
圖3.示例布局顯示使用地面填充來最小化噪聲
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此文關鍵字： 32.768KHZ晶體振蕩器外部振蕩器電路
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