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更多>>GT-cut耐高溫振蕩器SEO32C2D4C1-20.000M航空電子和6G應(yīng)用晶振
來源：http://m.jqhs.com.cn 作者：康比電子 2023年06月29
Suntsu的SEO324系列是我們產(chǎn)品線的最新成員。該石英振蕩器采用GT-cut技術(shù)，可在高達約200℃的擴展溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)高穩(wěn)定性。GT-cut振蕩器不僅能夠保持高穩(wěn)定性，而且在高沖擊和振動下性能更佳，能效更高。
Suntsu松圖晶振SEO324系列，封裝尺寸為3.2×2.5毫米陶瓷SMD擴展溫度4墊振蕩器，頻率范圍為1MHz至150MHz，四腳貼片晶振，有源晶振，石英晶體振蕩器。可用于高溫和極端環(huán)境下的應(yīng)用，如航空電子、井下鉆井測量、發(fā)動機傳感器、遙測、5G、航空航天和工業(yè)過程控制。如下圖所示，在-40℃至約200℃的溫度范圍內(nèi)，頻率穩(wěn)定性為+/-50ppm。GT-cut耐高溫振蕩器SEO32C2D4C1-20.000M航空電子和6G應(yīng)用晶振
GT-cut耐高溫振蕩器SEO32C2D4C1-20.000M航空電子和6G應(yīng)用晶振
主要功能包括：
小體積尺寸：3.2×2.5毫米SMD封裝
頻率范圍為：1MHz至150MHz
CMOS輸出石英貼片晶振
提供1.8V、2.5V和3.3V選項
在-40°C至約125°C的溫度范圍內(nèi)+/-20ppm，
在-40°C至約200°C的溫度范圍內(nèi)為+/-50ppm
低功耗:3.3V時典型值為8mA
提供20ppm(頻率穩(wěn)定性)
GT-Cut基礎(chǔ)
磁帶和卷軸
低電流消耗
在整個溫度范圍內(nèi)的高穩(wěn)定性
應(yīng)用包括：石油鉆探，汽車儀表，電動汽車的高溫檢測，5G，工業(yè)過程控制汽車儀表，遙測技術(shù)，航空航天
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| 進口SMD晶振 | 包裝尺寸 | 輸出 | 抖動 | 電壓 |
| SSO32C1A071-10.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A071-100.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A071-12.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A071-125.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A071-16.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A071-20.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A071-24.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A071-25.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A071-40.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A071-48.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A071-50.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A161-10.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A161-100.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A161-12.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A161-125.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A161-16.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A161-20.000M | 3.2X2.5 石英晶體振蕩器 | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A161-24.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A161-25.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A161-40.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A161-48.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A161-50.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A171-10.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A171-100.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A171-12.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A171-125.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A171-16.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A171-20.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A171-24.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A171-25.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A171-40.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
| SSO32C1A171-48.000M | 3.2X2.5 SILICON SMD (4 PAD) OSCILLATOR | CMOS | 1.0ps | 1.8V±5% |
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