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首頁進口晶振格林雷晶振,溫補晶振,T120晶振

格林雷晶振,溫補晶振,T120晶振

產品型號：19077623
頻率：10~100MHZ
尺寸：12.78*12.78mm
產品介紹：因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機

格林雷晶振,溫補晶振,T120晶振,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數

項目	符號	T120晶振規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	10~100MHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	3.3 V.5.0V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://m.jqhs.com.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

晶體產品線路焊接安裝時注意事項
耐焊性：
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。
（1）柱面式產品和DIP產品

晶振產品類型	晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件	手工焊接+300°C或低于3秒鐘請勿加熱封裝材料超過+150°C
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230°	+260°C或低于@最大值 10 s 請勿加熱封裝材料超過+150°C

(2)SMD產品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯系我們以便獲取相關信息。

盡可能使溫度變化曲線保持平滑：格林雷晶振,溫補晶振,T120晶振

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