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首頁進口晶振IDT晶振,壓控振蕩器,8N0QV01晶振

IDT晶振,壓控振蕩器,8N0QV01晶振

產品型號：40496201
頻率：15.476~260MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
產品介紹：壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60MHz到200MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態功能,應用：SDH/ SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/...

IDT晶振,壓控振蕩器,8N0QV01晶振,壓控晶振（VCXO）壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態功能,應用：SDH/ SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/無鉛
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。

型號		8N0QV01(VCXO)
輸出頻率范圍		15.476?260MHz
電源電壓范圍		2.5 to 3.3V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機時電流		-
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V　@V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V　@V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

IDT晶振所有產品的共同點
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。
3：化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。IDT晶振,壓控振蕩器,8N0QV01晶振

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